IPB024N08N5ATMA1, Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002222705
- Артикул
- IPB024N08N5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand
- Infineon Technologies
- Width
- 9.25 mm
Цена по запросу
(от 460 ₽)
Минимальный заказ: 70 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 166A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 9.25 mm |
| Height | 4.4 mm |
| Length | 10 mm |
| Fall Time | 15 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 14 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Unit Weight | 0.139332 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | PG-TO263-3 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | SMD |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Part # Aliases | IPB024N08N5 SP001227044 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 99 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Pd - Power Dissipation | 214 W |
| Power Dissipation (Pd) | 214W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 123nC@10V |
| Typical Turn-On Delay Time | 22 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 46 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 8.97nF@40V |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 120A |
| Id - Continuous Drain Current | 120 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 89 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 166 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |