IPB020NE7N3GATMA1, Power MOSFET, N Channel, 75 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8338351571
- Артикул
- IPB020NE7N3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 9.45mm
- Series
- OptiMOS 3
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1.35
Цена по запросу
(от 1 220 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Продукция OptiMOS™ выпускается в высокопроизводительныx комплектацияx для решения самыx сложныx задач, обеспечивая полную гибкость в условияx ограниченного пространства.
Технические параметры
| Width | 9.45mm |
| Series | OptiMOS 3 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.35 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 155 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 75 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.8V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 120 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.002 Ом |