Моя заявка (0)

IPB020N10N5ATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В, 120А, 375Вт, Ugs ±20В

IPB020N10N5ATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В, 120А, 375Вт, Ugs ±20В

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070087519
Артикул
IPB020N10N5ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
168 nC
V(DS)
100 V
Width
11.05mm
P(tot)
375 W
Цена по запросу
(от 691,86 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

OptiMOS™ 5 100V, силовые МОП-транзисторы последнего поколения от Infineon, специально разработаны для синxронного выпрямления в телекоммуникационныx и серверныx источникаx питания.

Технические параметры

Q(g)168 nC
V(DS)100 V
Width11.05mm
P(tot)375 W
SeriesIPB020N10N5
PackageD2PAK
R(thJC)0.3 K/W
FET TypeN-Channel
MountingSMD
PackagingTape & Reel(TR)
Pin Count3
Vgs (Max)В±20V
AutomotiveNO
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.5
FET Feature-
Logic levelNO
Part StatusActive
RoHS StatusRoHS-conform
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ManufacturerInfineon Technologies
Package TypeTO 263
ConfigurationN-CH
Mounting TypeSurface Mount
RDS(on)at 10V2 mOhm
Fast bodydiodeNO
Package / CaseTO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB
I(D)at Tc=25°C120 A
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 270ВµA
Forward Diode Voltage1.2V
Operating Temperature-55В°C ~ 175В°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max)375W(Tc)
Supplier Device PackageDВІPAK(TO-263AB)
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation375 W
Typical Gate Charge @ Vgs168 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage20 V
Number of Elements per Chip1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs210nC @ 10V
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Maximum Gate Threshold Voltage3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage2.2V
Maximum Drain Source Resistance2.5 mΩ
Maximum Continuous Drain Current176 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds15600pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C120A(Tc)

Техническая документация