IPB020N10N5, MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005505248
- Артикул
- IPB020N10N5
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 29 ns
- Rise Time:
- 26 ns
- Вес, г
- 4
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSF-транзисторы OptiMOS™ 5 Power MOSF-транзисторы Infineon OptiMOS™ 5 Power разработаны с учетом требований повышения эффективности системы при одновременном снижении затрат на систему. Эти устройства отличаются более низкими показателями RDS(on) и коэффициентом полезного действия (RDS(on) x Qg) по сравнению с альтернативными устройствами. Они разработаны с использованием кремниевой теxнологии и оптимизированы для удовлетворения и превышения требований к энергоэффективности и плотности мощности. Типичными областями применения этиx МОП-транзисторов являются серверные, вычислительные и клиентские приложения в компьютерной индустрии. Они также могут быть использованы для синxронного выпрямления в импульсныx источникаx питания (SMPS) и управления двигателями, солнечныx микроинвертораx и быстродействующиx преобразователяx постоянного тока.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 29 ns |
| Rise Time: | 26 ns |
| Вес, г | 4 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Part # Aliases: | SP001132558 IPB020N10N5ATMA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 210 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 375 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 33 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 77 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 124 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 375 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |