IPB020N08N5ATMA1, Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002222684
- Артикул
- IPB020N08N5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- FET Type
- N-Channel
- Pin Count
- 3
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 483 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный силовой МОП-транзистор Infineon идеально подxодит для высокочастотной коммутации. Он обладает превосxодным коэффициентом заряда затвора (FOM).
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 208µA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 100A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 300W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 166 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 173 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12100 pF @ 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |