Моя заявка (0)

IPB019N08NF2SATMA1, Power MOSFET, N Channel, 80 V, 166 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

IPB019N08NF2SATMA1, Power MOSFET, N Channel, 80 V, 166 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8016145594
Артикул
IPB019N08NF2SATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
1.75
Channel Type
N
Package Type
PG-TO263-3
Корпус
TO-263
Цена по запросу
(от 549 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Infineon StrongIRFET 2 оптимизированы для широкого спектра применений, такиx как SMPS, электропривод, питание от батарей, управление аккумуляторами, ИБП и легкие электромобили.

Технические параметры

Вес, г1.75
Channel TypeN
Package TypePG-TO263-3
КорпусTO-263
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Особенности-
Maximum Drain Source Voltage80 V
Maximum Continuous Drain Current170 A
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А166
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0016 Ом

Техническая документация