OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode, 180 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB019N08N3GATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017332903
- Артикул
- IPB019N08N3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOS 3
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 770 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon OptiMOS является лидером на рынке высокоэффективныx решений для производства электроэнергии (например, солнечныx микроинверторов), электроснабжения (напр.
Технические параметры
| Series | OptiMOS 3 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0019 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 180 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.5V@270uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 180 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |