Моя заявка (0)

IPB018N06NF2SATMA1,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 187 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

IPB018N06NF2SATMA1,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 187 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046391069
Артикул
IPB018N06NF2SATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
3
Вес, г
0.001
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 528 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный силовой транзистор Infineon оптимизирован для широкого спектра применений и прошел 100-процентное лавинное тестирование.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.001
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePG-TO263-3
КорпусTO-263
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSiC
Особенности-
Number of Elements per Chip2
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Continuous Drain Current187 A
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А187
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0015 Ом

Техническая документация