IPB017N10N5LFATMA1, 100V 180A 1.7mOhm@100A,10V 313W 4.1V@270uA N Channel TO-263-7 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044731406
- Артикул
- IPB017N10N5LFATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOS
- FET Type
- N-Channel
- Pin Count
- 7
- Vgs (Max)
- ±20V
Цена по запросу
(от 680,60 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейный полевой транзистор OptiMOS™ - это революционный подxод, позволяющий избежать компромисса между сопротивлением во включенном состоянии (RDS(on)) и возможностью работы в линейном режиме - работа в области насыщения МОП–транзистора улучшенного режима.
Технические параметры
| Series | OptiMOS |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 7 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK-7 |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-7, D2PAK(6 Leads+Tab) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.1V @ 270µA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 100A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 313W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 195 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0017 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 180 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 840 pF @ 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | -7 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 180 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 313 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.7мОм |