Моя заявка (0)
IPB017N10N5ATMA1, MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005505246
Артикул
IPB017N10N5ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
7
Вес, г
0.3
Channel Type
N
Package Type
D2PAK(TO-263)
Цена по запросу
(от 555,97 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой IPB017N10N5ATMA1 производства INFINEON – это высокомощный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в SMD-технологии. С током стока в 180 А и напряжением сток-исток до 100 В, этот транзистор способен управлять значительными энергетическими нагрузками, имея при этом мощность до 375 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,0017 Ом, что обеспечивает высокую эффективность при минимальных потерях. Упакованный в надежный корпус PG-TO263-7, IPB017N10N5ATMA1 идеален для применения в силовой электронике, преобразовательных устройствах и автомобильной промышленности. Код продукта для удобства поиска и заказа: IPB017N10N5ATMA1. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 180 Напряжение сток-исток, В 100 Мощность, Вт 375 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0017 Корпус PG-TO263-7

Технические параметры

Pin Count7
Вес, г0.3
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Continuous Drain Current273 A
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация