Моя заявка (0)

OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 180 A, 60 V, 7-Pin D2PAK-7 IPB017N06N3GATMA1

OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 180 A, 60 V, 7-Pin D2PAK-7 IPB017N06N3GATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8016770428
Артикул
IPB017N06N3GATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
9.45mm
Series
OptiMOS™ 3
Pin Count
7
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 510 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Продукция OptiMOS™ выпускается в высокопроизводительныx комплектацияx для решения самыx сложныx задач, обеспечивая полную гибкость в условияx ограниченного пространства.

Технические параметры

Width9.45mm
SeriesOptiMOS™ 3
Pin Count7
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeD2PAK-7
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation250Вт
СтруктураN-Channel
Особенностинизковольтные mosfets для сильноточных применений
Transistor ConfigurationSingle
Квалификация-
Maximum Power Dissipation250 W
Typical Gate Charge @ Vgs206 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance1.7 mΩ
Drain Source On State Resistance0.0013Ом
Maximum Continuous Drain Current180 A
Линейка Продукции-
Количество Выводов7вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока180А
Рассеиваемая Мощность250Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0013Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А180
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.3мОм

Техническая документация