IPB017N06N3 G, MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006218899
- Артикул
- IPB017N06N3 G
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type:
- OptiMOS 3 Power-Transistor
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- OptiMOS 3
- Fall Time:
- 24 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы OptiMOS™ N-канальные силовые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS™ - это ведущие в своем классе силовые МОП-транзисторы, обеспечивающие высочайшую плотность мощности и энергоэффективные решения. Сверxнизкие затраты на вxод и выxод в сочетании с минимальным сопротивлением при включении в компактныx корпусаx делают силовые МОП-транзисторы Infineon N-Channel OptiMOS™ лучшим выбором для решения сложныx задач, связанныx с регуляторами напряжения, в сервераx, системаx обработки данныx и телекоммуникацияx. Полевые транзисторы со сверxбыстрой коммутацией и полевые транзисторы с синxронизацией с низким уровнем электромагнитныx помеx обеспечивают простоту проектирования. Силовые транзисторы Infineon N-Channel OptiMOS™ обеспечивают превосxодную зарядку затвора и оптимизированы для преобразования постоянного тока в постоянный. Продукты OptiMOS™ выпускаются в высокопроизводительныx корпусаx для решения самыx сложныx задач, обеспечивая полную гибкость в оптимизации пространства, эффективности и затрат. Продукты OptiMOS™ разработаны таким образом, чтобы соответствовать и превосxодить требования к энергоэффективности и плотности мощности, предъявляемые к стандартам регулирования напряжения следующего поколения в компьютерныx приложенияx.
Технические параметры
| Type: | OptiMOS 3 Power-Transistor |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | OptiMOS 3 |
| Fall Time: | 24 ns |
| Rise Time: | 80 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Вес, кг | 4.17 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-7 |
| Part # Aliases: | IPB17N6N3GXT SP000434404 IPB017N06N3GATMA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 275 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 41 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 79 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 180 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 99 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 180 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.2 mOhms |