Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET Transistor, 52 A, 100 V PG-TO252-3 IPB016N08NF2SATMA1

N-Channel MOSFET Transistor, 52 A, 100 V PG-TO252-3 IPB016N08NF2SATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030974804
Артикул
IPB016N08NF2SATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
1
Channel Type
N
Package Type
PG-TO252-3
Корпус
to252
Цена по запросу
(от 1 058,13 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Infineon StrongIRFET 2 оптимизированы для широкого спектра применений, такиx как SMPS, электропривод, питание от батарей, управление аккумуляторами, ИБП и легкие электромобили.

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeN
Package TypePG-TO252-3
Корпусto252
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation300Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
Maximum Drain Source Voltage100 V
Drain Source On State Resistance0.0013Ом
Maximum Continuous Drain Current52 A
Линейка ПродукцииStronglRFET Series
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока170А
Пороговое Напряжение Vgs3.8В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds80В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А52
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация