IPB015N04LGATMA1, Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001293401
- Артикул
- IPB015N04LGATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- HTS
- COMPONENTS
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
Цена по запросу
(от 891 ₽)
Минимальный заказ: 22 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| HTS | COMPONENTS |
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | LTB |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Package Width | 9.45(Max) |
| Package Height | 4.57(Max) |
| Package Length | 10.31(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | D2PAK |
| Process Technology | OptiMOS 3 |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-263 |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 21 |
| Typical Rise Time (ns) | 13 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 250000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 260 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 260@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 25 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 108 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 120 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 21000@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 1.5@10V |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 400 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |