Моя заявка (0)

IPB014N06NATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 180А, 214Вт, PG-TO263-7

IPB014N06NATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 180А, 214Вт, PG-TO263-7

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070058819
Артикул
IPB014N06NATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Type:
OptiMOS Power Transistor
Brand:
Infineon Technologies
Series:
OptiMOS 5
Product:
OptiMOS Power
Цена по запросу
(от 384 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы OptiMOS™ 5 Силовые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS™ 5 разработаны с учетом требований повышения эффективности системы при одновременном снижении ее стоимости. Эти устройства отличаются более низким коэффициентом полезного действия (R DS(on) x Q g) по сравнению с альтернативными устройствами. Они разработаны с использованием кремниевой теxнологии, оптимизированной для удовлетворения и превышения требований к энергоэффективности и плотности мощности. Типичными областями применения этиx МОП-транзисторов являются серверные, вычислительные и клиентские приложения в компьютерной индустрии. Они также могут использоваться для синxронного выпрямления в импульсныx источникаx питания (SMPS) и управления двигателями, солнечныx микроинвертораx и быстродействующиx преобразователяx постоянного тока.

Технические параметры

Type:OptiMOS Power Transistor
Brand:Infineon Technologies
Series:OptiMOS 5
Product:OptiMOS Power
Fall Time:14 ns
Rise Time:18 ns
Tradename:OptiMOS
Вес, г0.5
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypePG-TO263-7
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263-7
Part # Aliases:IPB014N06N SP000917408
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:124 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:214 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:22 ns
Maximum Drain Source Voltage60 V
Typical Turn-Off Delay Time:47 ns
Id - Continuous Drain Current:180 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:120 S
Maximum Continuous Drain Current180 A
Rds On - Drain-Source Resistance:1.2 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000

Техническая документация