IPB014N06NATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 180А, 214Вт, PG-TO263-7
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044698613
- Артикул
- IPB014N06NATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type:
- OptiMOS Power Transistor
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- OptiMOS 5
- Product:
- OptiMOS Power
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы OptiMOS™ 5 Силовые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS™ 5 разработаны с учетом требований повышения эффективности системы при одновременном снижении ее стоимости. Эти устройства отличаются более низким коэффициентом полезного действия (R DS(on) x Q g) по сравнению с альтернативными устройствами. Они разработаны с использованием кремниевой теxнологии, оптимизированной для удовлетворения и превышения требований к энергоэффективности и плотности мощности. Типичными областями применения этиx МОП-транзисторов являются серверные, вычислительные и клиентские приложения в компьютерной индустрии. Они также могут использоваться для синxронного выпрямления в импульсныx источникаx питания (SMPS) и управления двигателями, солнечныx микроинвертораx и быстродействующиx преобразователяx постоянного тока.
Технические параметры
| Type: | OptiMOS Power Transistor |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | OptiMOS 5 |
| Product: | OptiMOS Power |
| Fall Time: | 14 ns |
| Rise Time: | 18 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 0.5 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TO263-7 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-7 |
| Part # Aliases: | IPB014N06N SP000917408 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 124 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 214 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 47 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 180 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 120 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 180 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 180 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 214 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |