Моя заявка (0)

iPB Type N-Channel MOSFET, 180 A, 60 V N TO-263 IPB014N06NATMA1

iPB Type N-Channel MOSFET, 180 A, 60 V N TO-263 IPB014N06NATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030974646
Артикул
IPB014N06NATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Type:
OptiMOS Power Transistor
Brand:
Infineon Technologies
Series:
OptiMOS 5
Product:
OptiMOS Power
Цена по запросу
(от 847,22 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Линейка продуктов Infineon optimos 25V от Infineon устанавливает новые стандарты в области плотности мощности и энергоэффективности для дискретныx МОП-транзисторов и систем в комплекте.

Технические параметры

Type:OptiMOS Power Transistor
Brand:Infineon Technologies
Series:OptiMOS 5
Product:OptiMOS Power
Fall Time:14 ns
Rise Time:18 ns
Tradename:OptiMOS
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypePG-TO263-7
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO-263
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263-7
Part # Aliases:IPB014N06N SP000917408
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:124 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:214 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:22 ns
Maximum Drain Source Voltage60 V
Typical Turn-Off Delay Time:47 ns
Id - Continuous Drain Current:180 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:120 S
Maximum Continuous Drain Current180 A
Rds On - Drain-Source Resistance:1.2 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А180
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт214
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация