iPB Type N-Channel MOSFET, 190 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB013N06NF2SATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030980860
- Артикул
- IPB013N06NF2SATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 1 031,53 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный силовой транзистор Infineon оптимизирован для широкого спектра применений и прошел 100-процентное лавинное тестирование.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TO263-3 |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 190 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 190 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |