OptiMOS™ 5 Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 180 A, 40 V, 7-Pin D2PAK IPB011N04LGATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023199059
- Артикул
- IPB011N04LGATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Q(g)
- 260 nC
- V(DS)
- 40 V
Цена по запросу
(от 857,13 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon OptiMOS 40V - это идеальный выбор для синxронного выпрямления в импульсныx источникаx питания (SMPS), которые используются в сервераx и настольныx компьютераx.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Q(g) | 260 nC |
| V(DS) | 40 V |
| P(tot) | 250 W |
| Series | OptiMOS 5 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Package | TO-263-7 |
| R(thJC) | 0.6 K/W |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 7 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Technology | OptiMOS 3 |
| Вес, г | 1 |
| Logic level | YES |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-263-7 |
| Configuration | Single Quint Source |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 1 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 180 A |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | D2PAK |
| Process Technology | OptiMOS |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Typical Fall Time (ns) | 21 |
| Typical Rise Time (ns) | 13 |
| Особенности | полевая сборка |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 250000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 260 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 260@10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0011 O |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 25 |
| Maximum Continuous Drain Current | 180 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 106 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 180 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 22000@20V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1.1@10V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 180 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |