IPB010N06NATMA1, , Полевой N-канальный транзистор , 60В, 180A, корпус TO-263-7(D2PAK)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8075242988
- Артикул
- IPB010N06NATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Brand:
- Infineon Technologies
- Тип
- Полевой N-канальный транзистор
Цена по запросу
(от 593 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 60V 180A 7-контактный (6+вкладок) D2PAK T/R
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Тип | Полевой N-канальный транзистор |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 7 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 23 ns |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Rise Time: | 36 ns |
| Вес, г | 1.99 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-263-7(D2PAK) |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single Quint Source |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TO-263-7 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SP000917410 IPB1N6NXT IPB010N06NATMA1 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | D2PAK |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-300 Вт |
| Описание | MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7 |
| Упаковка | REEL, 1000 шт. |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 243 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Typical Fall Time (ns) | 23 |
| Typical Rise Time (ns) | 36 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 37 ns |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 74 ns |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Id - Continuous Drain Current: | 180 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300000 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 208 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 208@10V |
| Forward Transconductance - Min: | 160 S |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 37 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 300000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 208 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 208@10V |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 74 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 800 uOhms |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 60 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3.3 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 180 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 15000@30V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 180 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 15000@30V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 1@10V |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 61*51*51/500 |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 180 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |