CoolMOS™ P7 N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V, 3-Pin TO-220 FP IPAW60R280P7SXKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014553007
- Артикул
- IPAW60R280P7SXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- CoolMOS™ P7
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 9 ns
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Минимальный заказ: 15 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот МОП-транзистор Infineon 600V Cool MOS P7 super junction продолжает обеспечивать баланс между необxодимостью обеспечения высокой эффективности и простотой использования в процессе проектирования.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ P7 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 9 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 9 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 FP |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IPAW60R280P7S SP001658180 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 24Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 18 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 450 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 24 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 60 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.28 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.214Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 214 mOhms |
| Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Непрерывный Ток Стока | 12А |
| Рассеиваемая Мощность | 24Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.214Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 24 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |