CoolMOS™ P7 N-Channel MOSFET, 18 A, 650 V, 3-Pin TO-220 FP IPAW60R180P7SXKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014564620
- Артикул
- IPAW60R180P7SXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Series
- IPA60R
- Package
- Tube
Цена по запросу
(от 313,77 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon 600V CoolMOS™ P7 с суперпереxодом (SJ) является преемником МОП-транзисторов серии 600V CoolMOS™ P6.
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Series | IPA60R |
| Package | Tube |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Серия | CoolMOS P7 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 FP |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Упаковка | Tube |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 280ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Base Product Number | IPAW60 -> |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 8 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 5.6A, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 26W (Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO220 Full Pack |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Qg - заряд затвора | 25 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 180 mΩ |
| Время нарастания | 12 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 18 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1081pF @ 400V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 18A (Tc) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 26 W |
| Другие названия товара № | IPAW60R180P7S SP001606072 |
| Id - непрерывный ток утечки | 18 A |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Размер фабричной упаковки | 450 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 145 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 85 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 26 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |