Моя заявка (0)

IPAN80R360P7XKSA1,Power MOSFET, N Channel, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-220FP, Through Hole

IPAN80R360P7XKSA1,Power MOSFET, N Channel, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-220FP, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000982848
Артикул
IPAN80R360P7XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
MSL
MSL 1-Unlimited
Вес, г
0.26
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 418 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 13A; Напряжение источника стока Vds: 800 В; Сопротивление включения Rds (вкл.): 0,31 Ом; Испытательное напряжение Rds (вкл.) Vgs: 10 В; Пороговое напряжение Vgs: 3 В

Технические параметры

MSLMSL 1-Unlimited
Вес, г0.26
No. of Pins3Pins
Channel TypeN Channel
КорпусTO-220
Product RangeCoolMOS P7
СтруктураN-Channel
Transistor MountingThrough Hole
Transistor Case StyleTO-220FP
Особенностивысоковольтный
Drain Source Voltage Vds800V
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id13A
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А13
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)10V

Техническая документация