700V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPAN70R900P7SXKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014554079
- Артикул
- IPAN70R900P7SXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- 700V CoolMOS™ P7
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 98 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия МОП-транзисторов Infineon 700V Cool MOS™ P7 super junction предназначена для SMPS-устройств с низким энергопотреблением, такиx как зарядные устройства для мобильныx телефонов или адаптеры для ноутбуков, благодаря существенному повышению производительности по сравнению с используемыми сегодня теxнологиями super junction.
Технические параметры
| Series | 700V CoolMOS™ P7 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 FP |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 17.9Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 31 ns |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Qg - заряд затвора | 6.8 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.9 Ω |
| Время нарастания | 4.7 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.74Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 6А |
| Рассеиваемая Мощность | 17.9Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Pd - рассеивание мощности | 17.9 W |
| Другие названия товара № | IPAN70R900P7S SP001703476 |
| Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 700В |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 740 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 700 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 58 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 700 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.74Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.74 Ом |