Моя заявка (0)

IPAN70R600P7SXKSA1, Power MOSFET, N Channel, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-220FP, Through Hole

IPAN70R600P7SXKSA1, Power MOSFET, N Channel, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-220FP, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001887949
Артикул
IPAN70R600P7SXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
3
Вес, г
4.3
Channel Type
N Channel
Package Type
TO-220 FP
Цена по запросу
(от 194 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Серия МОП-транзисторов Infineon 700V CoolMOS™ P7 superjunction предназначена для SMPS-устройств с низким энергопотреблением, такиx как зарядные устройства для мобильныx телефонов или адаптеры для ноутбуков, благодаря существенному повышению производительности по сравнению с используемыми сегодня теxнологиями superjunction.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г4.3
Channel TypeN Channel
Package TypeTO-220 FP
КорпусTO-220
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation24.9Вт
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage700 V
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Maximum Drain Source Resistance600 mO
Drain Source On State Resistance0.49Ом
Maximum Continuous Drain Current8.5 A
Линейка ПродукцииCoolMOS P7
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока8.5А
Рассеиваемая Мощность24.9Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds700В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220FP
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В700
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.49Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.49 Ом

Техническая документация