Моя заявка (0)

IPAN60R650CEXKSA1, Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

IPAN60R650CEXKSA1, Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002245490
Артикул
IPAN60R650CEXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
3
Вес, г
1
Длина
10.65 mm
Серия
CoolMOS CE
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Минимальный заказ: 563 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор CONSUMER

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1
Длина10.65 mm
СерияCoolMOS CE
Channel TypeN
Package TypeTO-220 FP
Высота16.15 mm
Ширина4.85 mm
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаTube
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада11 ns
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-220FP-3
Maximum Drain Source Voltage600 V
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Qg - заряд затвора20.5 nC
Maximum Drain Source Resistance650 mO
Время нарастания8 ns
Maximum Continuous Drain Current9.9 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности82 W
Другие названия товара №IPAN60R650CE SP001508816
Id - непрерывный ток утечки9.9 A
Коммерческое обозначениеCoolMOS
Размер фабричной упаковки500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.4 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения58 ns
Типичное время задержки при включении10 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V

Техническая документация