Моя заявка (0)
IPAN60R600P7SXKSA1, MOSFET транзистор TO220

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070122967
Артикул
IPAN60R600P7SXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
4.3
Channel Type
N Channel
Упаковка
Tube
Power Dissipation
21Вт
Цена по запросу
(от 142 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор CONSUMER

Технические параметры

Вес, г4.3
Channel TypeN Channel
УпаковкаTube
Power Dissipation21Вт
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада19 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора9 nC
Время нарастания6 ns
Drain Source On State Resistance0.49Ом
Линейка ПродукцииCoolMOS P7
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока6А
Рассеиваемая Мощность21Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs3.5В
Pd - рассеивание мощности21 W
Другие названия товара №IPAN60R600P7S SP001866160
Id - непрерывный ток утечки6 A
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Размер фабричной упаковки500
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220FP
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток600 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения37 ns
Типичное время задержки при включении7 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.5 V
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.49Ом

Техническая документация