Моя заявка (0)
MOSFET, 26 A, 650 V PG-TO 220 IPAN60R360PFD7SXKSA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030973757
Артикул
IPAN60R360PFD7SXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Series
CoolMOSв„ўPFD7 ->
Package
Tube
Цена по запросу
(от 152 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Infineon 600V CoolMOS PFD7 super junction дополняет линейку CoolMOS 7 для потребительскиx приложений.

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
SeriesCoolMOSв„ўPFD7 ->
PackageTube
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)В±20V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Вес, г1
RoHS StatusROHS3 Compliant
Channel TypeN Channel
Package TypePG-TO 220
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Power Dissipation23Вт
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 140ВµA
СтруктураMOSFET
Base Product NumberIPAN60 ->
Operating Temperature-40В°C ~ 150В°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs360mOhm @ 2.9A, 10V
Особенностивысоковольтный
Power Dissipation (Max)23W (Tc)
Supplier Device PackagePG-TO220 Full Pack
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.7nC @ 10V
Maximum Drain Source Voltage650 V
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Drain Source On State Resistance0.303Ом
Maximum Continuous Drain Current26 A
Moisture Sensitivity Level (MSL)Not Applicable
Линейка ПродукцииCoolMOS PFD7 SJ
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds534pF @ 400V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Непрерывный Ток Стока10А
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C10A (Tc)
Рассеиваемая Мощность23Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220FP
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.303Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А26
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт23
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация