Моя заявка (0)

IPAN60R125PFD7SXKSA1, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 25 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Through Hole

IPAN60R125PFD7SXKSA1, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 25 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004176482
Артикул
IPAN60R125PFD7SXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
1
Channel Type
N Channel
Корпус
TO-220
Power Dissipation
32Вт
Цена по запросу
(от 500 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Infineon 600V CoolMOS PFD7 super junction дополняет линейку CoolMOS 7 для потребительскиx приложений.

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeN Channel
КорпусTO-220
Power Dissipation32Вт
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Drain Source On State Resistance0.104Ом
Линейка ПродукцииCoolMOS PFD7 SJ
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока25А
Рассеиваемая Мощность32Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220FP
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.104Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А25
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт32
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.104 Ом

Техническая документация