Моя заявка (0)

IPA95R450P7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 950В, 8,6А, 30Вт, TO220FP

IPA95R450P7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 950В, 8,6А, 30Вт, TO220FP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8022003836
Артикул
IPA95R450P7
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
35 nC
V(DS)
950 V
P(tot)
30 W
Series
CoolMOS
Цена по запросу
(от 450 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Дизайн Infineon серии Cool MOS™ P7 устанавливает новый стандарт в теxнологияx super junction 950 В и сочетает в себе лучшую в своем классе производительность и простоту использования, что является результатом более чем 18-летней инновационной деятельности Infineon в области теxнологии super junction.

Технические параметры

Q(g)35 nC
V(DS)950 V
P(tot)30 W
SeriesCoolMOS
PackageTO-220FP
R(thJC)4.1 K/W
MountingTHT
PackagingTUBE
Pin Count3
AutomotiveNO
TechnologyCoolMOS
Вес, г2
Logic levelNO
RoHS StatusRoHS-conform
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220 FP
Корпусto220
ConfigurationN-CH
Mounting TypeThrough Hole
RDS(on)at 10V450 mOhm
Fast bodydiodeYES
I(D)at Tc=25°C14 A
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSilicon
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage900 V
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Maximum Drain Source Resistance0.45 Ω
Maximum Continuous Drain Current14 A
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В950
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация