Моя заявка (0)

IPA95R1K2P7XKSA1, Power MOSFET, N Channel, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, TO-220FP, Through Hole

IPA95R1K2P7XKSA1, Power MOSFET, N Channel, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, TO-220FP, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000587533
Артикул
IPA95R1K2P7XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
CoolMOS P7
Pin Count
3
Вес, г
0.26
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 280 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IPA95R1K2P7, SP002314016

Технические параметры

SeriesCoolMOS P7
Pin Count3
Вес, г0.26
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeTO-220 FP
КорпусTO-220
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation27Вт
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage950 V
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Maximum Drain Source Resistance0.12 Ω
Drain Source On State Resistance1.03Ом
Maximum Continuous Drain Current6 A
Линейка ПродукцииCoolMOS P7
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока6А
Рассеиваемая Мощность27Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds950В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220FP
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В950
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)1.03Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.03 Ом

Техническая документация