Моя заявка (0)

IPA70R750P7SXKSA1, 700V 6.5A 21.2W 750mOhm@1.4A,10V 3.5V@70uA N Channel 306pF@400V 8.3nC@400V -40°C~+150°C@(Tj) TO-220-FP MOSFETs

IPA70R750P7SXKSA1, 700V 6.5A 21.2W 750mOhm@1.4A,10V 3.5V@70uA N Channel 306pF@400V 8.3nC@400V -40°C~+150°C@(Tj) TO-220-FP MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070169607
Артикул
IPA70R750P7SXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
700V CoolMOS™ P7
Pin Count
3
Вес, г
2.85
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 156 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор CONSUMER

Технические параметры

Series700V CoolMOS™ P7
Pin Count3
Вес, г2.85
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeTO-220 FP
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаTube
Power Dissipation21.2Вт
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада27 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-220-3
Maximum Drain Source Voltage700 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Qg - заряд затвора8.3 nC
Maximum Drain Source Resistance0.75 Ω
Время нарастания5 ns
Drain Source On State Resistance0.62Ом
Maximum Continuous Drain Current6.5 A
Линейка ПродукцииCoolMOS P7
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока6.5А
Рассеиваемая Мощность21.2Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs3В
Pd - рассеивание мощности21.2 W
Другие названия товара №IPA70R750P7S SP001664858
Id - непрерывный ток утечки6.5 A
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds700В
Размер фабричной упаковки500
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220FP
Vgs - напряжение затвор-исток16 V, + 16 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток620 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток700 V
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения60 ns
Типичное время задержки при включении12 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.62Ом

Техническая документация