IPA70R360P7SXKSA1, Power MOSFET, N Channel, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8753582952
- Артикул
- IPA70R360P7SXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- TO220FP
- Q(g)
- 16.4 nC
- V(DS)
- 700 V
- P(tot)
- 26.5 W
Цена по запросу
(от 207 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор CONSUMER
Технические параметры
| Case | TO220FP |
| Q(g) | 16.4 nC |
| V(DS) | 700 V |
| P(tot) | 26.5 W |
| Series | CoolMOS P7 |
| Package | TO-220FP |
| R(thJC) | 4.7 K/W |
| Mounting | THT |
| Packaging | TUBE |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Technology | CoolMOS™ P7 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10.65 mm |
| Серия | CoolMOS P7 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Package Type | TO-220 FP |
| Polarisation | unipolar |
| Высота | 16.15 mm |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.85 mm |
| Configuration | N-CH |
| Drain current | 7.5A |
| Mounting Type | Through Hole |
| RDS(on)at 10V | 300 mOhm |
| Fast bodydiode | YES |
| I(D)at Tc=25°C | 12.5 A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Упаковка | Tube |
| Power dissipation | 26.5W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±16V |
| On-state resistance | 0.36Ω |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Drain-source voltage | 700V |
| Pulsed drain current | 34A |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 18 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Qg - заряд затвора | 16.4 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.36 O |
| Время нарастания | 8 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 12.5 A |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 26.5 W |
| Другие названия товара № | IPA70R360P7S SP001499698 |
| Id - непрерывный ток утечки | 12.5 A |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 16 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 300 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 700 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 100 ns |
| Типичное время задержки при включении | 19 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 700 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 26.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.3 Ом |