IPA65R650CEXKSA1, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 10.1 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070889126
- Артикул
- IPA65R650CEXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- TO220FP
- Mounting
- THT
- Technology
- CoolMOS™
- Вес, г
- 2
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IPA65R650CEXKSA1 от INFINEON – это высококачественный N-MOSFET элемент, предназначенный для монтажа THT. С током стока 7 А и напряжением сток-исток 650 В, этот компонент может выдерживать мощность до 28 Вт, обеспечивая при этом низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,65 Ом. Устройство заключено в надежный корпус PG-TO220-3-FP и идеально подойдет для использования в различных электронных схемах, где требуется эффективное управление мощностью. Код товара IPA65R650CEXKSA1 гарантирует высокую производительность и надежность, что делает его отличным выбором для вашего проекта. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 7 Напряжение сток-исток, В 650 Мощность, Вт 28 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.65 Корпус PG-TO220-3-FP
Технические параметры
| Case | TO220FP |
| Mounting | THT |
| Technology | CoolMOS™ |
| Вес, г | 2 |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Package Type | PG-TO 220 FullPAK |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | PG-TO220-3-FP |
| Drain current | 7A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 28W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 0.65Ω |
| Drain-source voltage | 650V |
| Особенности | высоковольтный |
| Maximum Continuous Drain Current | 10.1 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 28 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.54 Ом |