MOSFET Transistor, 10.1 A PG-TO 220 FullPAK IPA65R650CEXKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031013331
- Артикул
- IPA65R650CEXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- TO220FP
- Mounting
- THT
- Technology
- CoolMOS™
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon CoolMOS CE - это революционная теxнология для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, впервые разработанная в соответствии с принципом super junction (SJ).
Технические параметры
| Case | TO220FP |
| Mounting | THT |
| Technology | CoolMOS™ |
| Вес, г | 1 |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Package Type | PG-TO 220 FullPAK |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 7A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 28W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 0.65Ω |
| Drain-source voltage | 650V |
| Особенности | - |
| Maximum Continuous Drain Current | 10.1 A |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 28 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |