Моя заявка (0)

CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 7.2 A, 650 V N, 3-Pin TO-220 IPA65R1K0CEXKSA1

CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 7.2 A, 650 V N, 3-Pin TO-220 IPA65R1K0CEXKSA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014556145
Артикул
IPA65R1K0CEXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Type
N
Package Type
TO-220 FP
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon CoolMOS - это революционная теxнология для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом super junction (SJ) и впервые разработанная компанией Infineon Technologies.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypeTO-220 FP
КорпусTO-220
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation68Вт
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Maximum Drain Source Resistance1 Ohm
Drain Source On State Resistance0.86Ом
Maximum Continuous Drain Current7.2 A
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока7.2А
Рассеиваемая Мощность68Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds650В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220FP
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.86Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация