CoolMOS™ N-Channel MOSFET, 7.2 A, 650 V, 3-Pin TO-220 FP IPA65R1K0CEXKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014556144
- Артикул
- IPA65R1K0CEXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N
- Package Type
- TO-220 FP
Цена по запросу
(от 116,83 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon CoolMOS - это революционная теxнология для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом super junction (SJ) и впервые разработанная компанией Infineon Technologies.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 FP |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Power Dissipation | 68Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1 Ohm |
| Drain Source On State Resistance | 0.86Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.2 A |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 7.2А |
| Рассеиваемая Мощность | 68Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.86Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |