Моя заявка (0)

IPA65R190C7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 8А, 30Вт, TO220FP

IPA65R190C7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 8А, 30Вт, TO220FP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070169162
Артикул
IPA65R190C7XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
CoolMOS C7
Pin Count
3
Вес, г
2.15
Длина
10.65 mm
Цена по запросу
(от 421 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор HIGH POWER BEST IN CLASS

Технические параметры

SeriesCoolMOS C7
Pin Count3
Вес, г2.15
Длина10.65 mm
СерияCoolMOS C7
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220 FP
Высота16.15 mm
Ширина4.85 mm
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаTube
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада9 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-220FP-3
Maximum Drain Source Voltage650 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Qg - заряд затвора23 nC
Maximum Drain Source Resistance0.19 O
Время нарастания11 ns
Maximum Continuous Drain Current8 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности30 W
Другие названия товара №IPA65R190C7 SP001080140
Id - непрерывный ток утечки8 A
Коммерческое обозначениеCoolMOS
Размер фабричной упаковки500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток168 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения54 ns
Типичное время задержки при включении11 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V

Техническая документация