CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET, 8 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA65R190C7XKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014553503
- Артикул
- IPA65R190C7XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- CoolMOS C7
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Длина
- 10.65 mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IPA65R190C7XKSA1 от производителя INFINEON представляет собой мощный N-MOSFET элемент, предназначенный для использования в схемах с высоким напряжением и током. Оснащенный корпусом PG-TO220-3-FP для монтажа типа THT, этот транзистор способен выдерживать напряжение сток-исток в 650 В и ток стока до 8 А. С номинальной мощностью 30 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,19 Ом, IPA65R190C7XKSA1 обеспечивает высокую эффективность и надежность в различных электронных применениях. Продукт характеризуется длительным сроком службы и стабильностью параметров, что делает его отличным выбором для профессионалов. Указанный транзистор с кодом IPA65R190C7XKSA1 обладает всеми качествами, необходимыми для эффективного управления мощностью. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 8 Напряжение сток-исток, В 650 Мощность, Вт 30 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.19 Корпус PG-TO220-3-FP
Технические параметры
| Series | CoolMOS C7 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10.65 mm |
| Серия | CoolMOS C7 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 FP |
| Высота | 16.15 mm |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.85 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 9 ns |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Qg - заряд затвора | 23 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.19 O |
| Время нарастания | 11 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 30 W |
| Другие названия товара № | IPA65R190C7 SP001080140 |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 168 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 54 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 168 mOhms |