IPA65R Type N-Channel MOSFET, 18 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA65R045C7XKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014564618
- Артикул
- IPA65R045C7XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- IPA65R
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Длина
- 10.65 mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IPA65R045C7XKSA1 производства INFINEON – надежный компонент для мощных электронных схем. Монтаж выполняется с помощью технологии THT, обеспечивающей простоту инсталляции. С током стока в 18 А и напряжением сток-исток 650 В, этот транзистор способен управлять высокими нагрузками. Мощность устройства составляет 35 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,045 Ом, гарантирует высокую эффективность. Вид N-MOSFET указывает на тип используемого канала, а корпус PG-TO220-3-FP обеспечивает надежную физическую защиту компонента. Дополнительная информация по товару IPA65R045C7XKSA1 доступна для уточнения технических деталей. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 18 Напряжение сток-исток, В 650 Мощность, Вт 35 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.045 Корпус PG-TO220-3-FP
Технические параметры
| Series | IPA65R |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10.65 mm |
| Серия | CoolMOS C7 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 FP |
| Высота | 16.15 mm |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.85 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 7 ns |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Qg - заряд затвора | 93 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 45 mΩ |
| Время нарастания | 14 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 18 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 35 W |
| Другие названия товара № | IPA65R045C7 SP001080092 |
| Id - непрерывный ток утечки | 18 A |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 40 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 82 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |