IPA60R650CEXKSA1, Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002214435
- Артикул
- IPA60R650CEXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 20.5 nC
- V(DS)
- 600 V
- P(tot)
- 28 W
- Package
- TO-220FP
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IPA60R650CEXKSA1 от известного производителя INFINEON – это надежный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в отверстия (THT). С током стока 7 А и напряжением сток-исток 600 В, этот транзистор отличается высокой эффективностью при мощности в 28 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,65 Ом, что гарантирует отличные проводящие характеристики. Устройство заключено в надежный корпус PG-TO220 FullPAK, обеспечивающий долгий срок службы. Идеальный выбор для устройств требующих компактных и мощных решений. Приобрести транзистор IPA60R650CEXKSA1 можно прямо сейчас в нашем интернет-магазине. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 7 Напряжение сток-исток, В 600 Мощность, Вт 28 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.65 Корпус PG-TO220 FullPAK
Технические параметры
| Q(g) | 20.5 nC |
| V(DS) | 600 V |
| P(tot) | 28 W |
| Package | TO-220FP |
| R(thJC) | 4.5 K/W |
| Mounting | THT |
| Packaging | TUBE |
| Automotive | NO |
| Technology | CoolMOS CE |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10.65 mm |
| Серия | CoolMOS CE |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Высота | 16.15 mm |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.85 mm |
| Configuration | N-CH |
| RDS(on)at 10V | 650 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 7 A |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 11 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 20.5 nC |
| Время нарастания | 8 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 28 W |
| Другие названия товара № | IPA60R650CE SP001276044 |
| Id - непрерывный ток утечки | 7 A |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 650 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 58 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 28 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |