Моя заявка (0)

CoolMOS™ P7 N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V, 3-Pin TO-220 FP IPA60R360P7SXKSA1

CoolMOS™ P7 N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V, 3-Pin TO-220 FP IPA60R360P7SXKSA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014554068
Артикул
IPA60R360P7SXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Series
600V CoolMOS™ P7
Package
Tube
Цена по запросу
(от 156,89 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon 600V Cool MOS™ P7 является преемником серии 600V Cool MOS™ P6. В процессе проектирования по-прежнему соблюдается баланс между необxодимостью обеспечения высокой эффективности и простотой использования.

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Series600V CoolMOS™ P7
PackageTube
FET TypeN-Channel
Pin Count3
Vgs (Max)В±20V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Вес, г1
RoHS StatusROHS3 Compliant
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220 FP
REACH StatusREACH Unaffected
КорпусTO-220
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 140ВµA
СтруктураN-Channel
Base Product NumberIPA60R360 ->
Transistor MaterialSi
Operating Temperature-40В°C ~ 150В°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs360mOhm @ 2.7A, 10V
Особенностивысоковольтный
Power Dissipation (Max)22W (Tc)
Supplier Device PackagePG-TO220 Full Pack
Number of Elements per Chip1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 10V
Maximum Drain Source Voltage600 V
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Drain Source Resistance0.36 Ω
Maximum Continuous Drain Current9 A
Moisture Sensitivity Level (MSL)Not Applicable
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds555pF @ 400V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C9A (Tc)
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А9
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт22
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация