Моя заявка (0)

IPA60R360P7SXKSA1,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Through Hole

IPA60R360P7SXKSA1,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000883784
Артикул
IPA60R360P7SXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Series
CoolMOSв„ў P7 ->
Package
Tube
Цена по запросу
(от 232 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 600В 9А (Tc) 22 Вт (Tc) со сквозным отверстием PG-TO220 в комплекте

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
SeriesCoolMOSв„ў P7 ->
PackageTube
FET TypeN-Channel
Pin Count3
Vgs (Max)В±20V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Вес, г0.26
RoHS StatusROHS3 Compliant
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220 FP
REACH StatusREACH Unaffected
КорпусTO-220
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 140ВµA
СтруктураN-Channel
Base Product NumberIPA60R360 ->
Transistor MaterialSi
Operating Temperature-40В°C ~ 150В°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs360mOhm @ 2.7A, 10V
Особенностивысоковольтный
Power Dissipation (Max)22W (Tc)
Supplier Device PackagePG-TO220 Full Pack
Number of Elements per Chip1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 10V
Maximum Drain Source Voltage600 V
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Drain Source Resistance0.36 Ω
Maximum Continuous Drain Current9 A
Moisture Sensitivity Level (MSL)Not Applicable
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds555pF @ 400V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C9A (Tc)
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А9
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт22
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.3 Ом

Техническая документация