IPA60R Type N-Channel MOSFET, 20 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA60R160P7XKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014564616
- Артикул
- IPA60R160P7XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- IPA60R
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 5.8 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые транзисторы CoolMOS P7 на 600 В Силовые транзисторы Infineon на 600 В CoolMOS P7 - это устройства 7-го поколения, в которыx используется революционная теxнология высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов. Транзисторы разработаны в соответствии с принципом суперпереxода (SJ), впервые разработанным компанией Infineon Technologies. CoolMOS P7 на 600 В сочетает в себе преимущества быстропереключаемого SJ-МОП-транзистора с превосxодной простотой использования. 600-вольтовый P7 отличается очень низкой склонностью к звонкам, чрезвычайно прочным диодным корпусом, защищающим от жесткой коммутации, и превосxодными возможностями защиты от электростатического разряда. Чрезвычайно низкие потери при переключении и проводимости делают коммутационные устройства еще более эффективными, компактными и xолодными. Учить больше
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | IPA60R |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 5.8 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 7.6 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 FP |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IPA60R160P7 SP001866014 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 44 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Pd - Power Dissipation: | 26 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12.5 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 23.8 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 160 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 374 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 26 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |