Моя заявка (0)

IPA60R160C6XKSA1, Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

IPA60R160C6XKSA1, Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001293222
Артикул
IPA60R160C6XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
75 nC
V(DS)
600 V
P(tot)
34 W
Series
CoolMOSв(ў
Цена по запросу
(от 340 ₽)
Минимальный заказ: 249 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET,N-канальный, 600 В, 23,8 А, TO220-FP; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 23,8 А; Напряжение источника стока Vds: 600 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,14 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs: 10 В; Пороговое напряжение Vgs:3 В; Военнопленный

Технические параметры

Q(g)75 nC
V(DS)600 V
P(tot)34 W
SeriesCoolMOSв(ў
PackageTO-220FP
R(thJC)3.67 K/W
FET TypeN-Channel
MountingTHT
PackagingTube
Vgs (Max)В±20V
AutomotiveNO
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
FET Feature-
Logic levelNO
Part StatusNot For New Designs
RoHS StatusRoHS-conform
ManufacturerInfineon Technologies
КорпусTO-220
ConfigurationN-CH
Mounting TypeThrough Hole
RDS(on)at 10V160 mOhm
Fast bodydiodeNO
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
I(D)at Tc=25°C23.8 A
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 750ВµA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 11.3A, 10V
Особенностивысоковольтный
Power Dissipation (Max)34W(Tc)
Supplier Device PackagePG-TO220-FP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs75nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1660pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C23.8A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А23.8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация