Моя заявка (0)

CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET & Diode, 87 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA60R125P6XKSA1

CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET & Diode, 87 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA60R125P6XKSA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014562171
Артикул
IPA60R125P6XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
CoolMOS P6
Pin Count
3
Вес, г
3.18
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 978,02 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Семейство МОП-транзисторов Infineon Cool MOS P6 super junction super junction MOSFET разработано таким образом, чтобы обеспечить более высокую эффективность системы и при этом быть простым в проектировании.

Технические параметры

SeriesCoolMOS P6
Pin Count3
Вес, г3.18
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220 FP
КорпусTO-220
Mounting TypeThrough Hole
СтруктураN-Channel
ОсобенностиEnhancement Mode
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Gate Threshold Voltage4.5V
Maximum Drain Source Resistance0.125 O
Maximum Continuous Drain Current87 A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А87
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация