Моя заявка (0)

IPA60R120P7XKSA1, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-220FP, Through Hole

IPA60R120P7XKSA1, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-220FP, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000881898
Артикул
IPA60R120P7XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
CoolMOS P7
Pin Count
3
Вес, г
3.03
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 630 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IPA60R120P7, SP001658376

Технические параметры

SeriesCoolMOS P7
Pin Count3
Вес, г3.03
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeTO-220 FP
КорпусTO-220
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation28Вт
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Drain Source Resistance0.12 O
Drain Source On State Resistance0.1Ом
Maximum Continuous Drain Current78 A
Линейка ПродукцииCoolMOS P7
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока26А
Рассеиваемая Мощность28Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220FP
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.1Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А26
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.1 Ом

Техническая документация