CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 37.9 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA60R099P6XKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033013789
- Артикул
- IPA60R099P6XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- CoolMOS™
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 747,70 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Теxнология Infineon Cool MOS™ - это революционная теxнология для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом super junction (SJ) и впервые разработанная компанией Infineon Technologies.
Технические параметры
| Series | CoolMOS™ |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 FP |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.099 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 37.9 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 37.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |