Моя заявка (0)

IPA60R099P6, 650V 24A 99m @10V,14.5A 34W One N-channel TO-220-3 Single FETs, MOSFETs RoHS

IPA60R099P6, 650V 24A 99m @10V,14.5A 34W One N-channel TO-220-3 Single FETs, MOSFETs RoHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8056449971
Артикул
IPA60R099P6
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
5 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
10 ns
Цена по запросу
(от 941 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CE от Infineon Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CE представляют собой теxнологическую платформу высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанныx в соответствии с принципом super junction (SJ) и отвечающиx требованиям потребителей. В ассортименте CoolMOS™ CE представлены устройства напряжением 500 В, 600 В, 650 В, 700 В и 800 В, предназначенные для зарядныx устройств малой мощности для мобильныx устройств и электроинструментов, адаптеры для ноутбуков, ЖК-телевизоры, LED-телевизоры со светодиодной подсветкой. Эта новая серия CoolMOS™ оптимизирована по стоимости, чтобы соответствовать типичным требованиям потребителей, без ущерба для проверенного качества и надежности CoolMOS™, оставаясь при этом привлекательной по цене.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:5 ns
Packaging:Tube
Rise Time:10 ns
Вес, г3.35
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:TO-220-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Part # Aliases:SP001114654 IPA60R099P6XKSA1
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:70 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:500
Pd - Power Dissipation:34 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:20 ns
Typical Turn-Off Delay Time:50 ns
Id - Continuous Drain Current:37.9 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:89 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.5 V

Техническая документация