IPA60R099C6XKSA1, Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001293616
- Артикул
- IPA60R099C6XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- Width
- 4.85 mm
- Height
- 16.15 mm
Цена по запросу
(от 1 030 ₽)
Минимальный заказ: 81 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 600В 37,9A 35Вт 0,099Ом TO220-Fullpak Характеристики Категория Транзистор Тип модуль Вид IGBT
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 4.85 mm |
| Height | 16.15 mm |
| Length | 10.65 mm |
| Series | CoolMOS C6 |
| Fall Time | 6 ns |
| Packaging | Tube |
| Rise Time | 12 ns |
| Tradename | CoolMOS |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10.65 mm |
| Серия | CoolMOS C6 |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Infineon |
| Высота | 16.15 mm |
| Ширина | 4.85 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220FP-3 |
| Part # Aliases | IPA60R099C6 IPA6R99C6XK SP000658000 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 119 nC |
| Упаковка | Tube |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 500 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 6 ns |
| Pd - Power Dissipation | 35 W |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 75 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Id - Continuous Drain Current | 37.9 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 119 nC |
| Время нарастания | 12 ns |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 90 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 35 W |
| Другие названия товара № | IPA60R099C6 IPA6R99C6XK SP000658000 |
| Id - непрерывный ток утечки | 37.9 A |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 90 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 75 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |